Los FET de nitruro de galio (GaN) TP65H030G4Px de Renesas Electronics, 650 V, 30 mΩ, están disponibles en encapsulados TOLT, TO247 y TOLL. Estos FET de GaN utilizan la plataforma Gen IV Plus SuperGaN®, que combina un HEMT de GaN de alta tensión de vanguardia con un MOSFET de silicio de baja tensión para ofrecer un rendimiento superior, control estándar, fácil adopción y fiabilidad. Los semiconductores de potencia de GaN de Renesas Electronics ofrecen soluciones fiables y de alto rendimiento en una amplia gama de aplicaciones, desde 25 W hasta 10 kW. La exclusiva arquitectura de semiconductores de potencia GaN de Renesas aprovecha el rendimiento inherente del GaN y ofrece diversas opciones de encapsulado, incluyendo PQFN compacto, encapsulado TO robusto y diversos encapsulados de montaje superficial con refrigeración inferior y superior. La arquitectura normalmente desactivada, la amplia gama de encapsulados y el front-end MOSFET de silicio de bajo voltaje integrado, que facilita la compatibilidad con controladores de silicio estándar, crean una adaptación de GaN más sencilla y rentable para los desarrolladores de sistemas.
