El transistor de potencia de nitruro de galio (GaN) de modo de enriquecimiento EPC2302 de Efficient Power Conversion (EPC) está diseñado para aplicaciones CC-CC de alta frecuencia para accionamientos de motores BLDC de 40 V a 60 V y 48 V. Este FET eGaN® presenta una resistencia máxima drenador-fuente (RDS(on)) de 1,8 mΩ y una tensión de ruptura drenador-fuente (CC) de 100 V en un encapsulado QFN de baja inductancia de 3 mm x 5 mm. El encapsulado cuenta con laterales humectables y una parte superior expuesta para una excelente gestión térmica. La resistencia térmica de la parte superior del encapsulado es de aproximadamente 0,2 °C/W, lo que ofrece un excelente comportamiento térmico y facilita la refrigeración. El transistor de potencia de modo de enriquecimiento EPC2302 de EPC permite un funcionamiento eficiente en diversas topologías, mejorando la eficiencia y ahorrando espacio.
