Los MOSFETs de canal N de SiC de 750 V de ROHM Semiconductor permiten aumentar la frecuencia de conmutación, reduciendo así el tamaño de los capacitores, reactores y otros componentes necesarios. Estos MOSFETs de SiC están disponibles en encapsulados TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA y TO-247-4L. Estos dispositivos presentan una resistencia estática drenador-fuente (RDS(on)) típica de 13 mΩ a 65 mΩ y una corriente continua de drenaje (ID) y fuente (IS) (TC = 25 °C) de 22 A a 120 A. Estos MOSFETs de canal N de SiC de 750 V de ROHM Semiconductor ofrecen altas tensiones de resistencia, baja resistencia de enlace y características de conmutación de alta velocidad, aprovechando las propiedades únicas de la tecnología SiC.
