El MOSFET de canal N DMN1057UCA3 de Diodes Incorporated (modo de enriquecimiento) está diseñado para minimizar la resistencia en estado de conducción (RDS(ON)) y es ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia. Este MOSFET presenta una baja carga de puerta y una baja carga puerta-drenador para un rendimiento de conmutación rápido. El MOSFET DMN1057UCA3 presenta un diseño compacto y ultradelgado con una altura de tan solo 0,26 mm, lo que lo hace ideal para aplicaciones con espacio limitado. Este MOSFET ofrece una disipación de potencia de hasta 1,81 W y una resistencia térmica de hasta 198,6 °C/W. El MOSFET de canal N DMN1057UCA3 se utiliza en aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección de baterías.
