Los diodos de barrera Schottky de alta eficiencia ROHM Semiconductor están diseñados para mejorar la baja relación VF/IR. Estos diodos presentan una estructura Trench MOS, una corriente de sobretensión directa de 30 A, alta confiabilidad y baja capacitancia. Los diodos de barrera Schottky de alta eficiencia YQ1MM10Ax se utilizan en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, diodos de conducción libre y protección contra inversión de polaridad.
