Una solución discreta pero actual es la que hace uso de transistores de efecto de campo de potencia (Power MOSFET).
Según los adeptos de esta tecnología, los MOSFET de potencia tienen una característica que se aproxima a las válvulas antiguas usadas en los amplificadores de audio ultra-lineales.
Estos amplificadores, según estos adeptos, poseen una pureza de sonido que no es alcanzada por los equipos que hacen uso de transistores bipolares, circuitos integrados o incluso que usan tecnologías digitales.
Según estos adeptos, este tipo de amplificador tiene una calidad de sonido mucho más pura, con una tasa de distorsión extremadamente baja.
Para los lectores que desean tener calidad de sonido, sin importar la tecnología, damos un circuito de un amplificador que tiene una solución interesante: un MOSFET de potencia y un Darlington de Potencia, dada justamente la dificultad de obtener los MOSFET de canal P.
Sin embargo, alertamos que el par de transistores utilizados puede no ser muy fácil de obtener, lo que debe ser tenido en cuenta por los montadores antes de iniciar cualquier tipo de trabajo práctico.
Este circuito consiste en un seguidor de tensión con drenaje común y una fuente de corriente que consiste en el Darlington NPN.
Con una corriente fijada en 2,2 A el circuito puede proporcionar una potencia de 17 W en un altavoz de 8 ohms.
Sin embargo, el rendimiento del circuito es bajo, ya que necesita algo alrededor de 80 W de la fuente para proporcionar esa potencia.
En la figura 1 tenemos el diagrama del circuito que debe ser alimentado por fuente de 40 V con al menos 3 A de capacidad.
Como los transistores disipan buena cantidad de calor debido al bajo rendimiento del circuito, ellos deben ser montados en excelentes radiadores de calor.
Una sugerencia de placa de circuito impreso se muestra en la figura 2.
Observe que el capacitor C5 debe ser del tipo despolarizado y que los diodos zener son de 1 W. Las tensiones en los principales puntos del circuito se muestran en el diagrama.
LISTA DE MATERIAL
Semiconductores:
Q1 - IRF350 o equivalente - POWER MOSFET
Q2 - TIP141 - Transistor Darlington NPN de potencia
Z1 - 18 V x 1W - diodo zener
Z2 - 3V0 o 3V3 - diodo zener de 1 W
Resistores:
R1 - 270 ohms x ½ W
R2 - 8,2 k ohms x 1/8 W
R3 - 12 k ohms x 1/8 W
R4 - 100 k ohms x 1/8 W
R5 - 2,2 k ohms x 2 W
R6 - 1 ohms x 5 W - hilo
R7 - 10 k ohms x 1/8 W
Capacitores:
C1 - 5,6 uF x 100 V - poliéster
C2 - 47 uF x 35 V - electrolítico
C3 - 4 700 uF x 50 V - electrolítico
C4 - 47 uF x 50 V - electrolítico
C5 - 10 uF x 100 V - poliéster
Varios:
FT - 8 ohms x 40 W - altavoz
Placa de circuito impreso, fuente de alimentación de 40 V x 3 A, hilos, soldadura, etc.
