Los transistores de efecto de campo de potencia (Power MOSFETs) pueden controlar corrientes intensas a partir de corrientes extremadamente bajas aplicadas a la compota, dada su elevada impedancia de entrada.

 

En estas condiciones, la corriente que pasa por los dedos de quien toca un sensor, es que es insuficiente para causar choque, puede conmutar cargas relativamente grandes, con corrientes del orden de ampères, ligándolas o apagándolas con facilidad.

 

El circuito dado en la figura 1 puede controlar cargas de varios amperios, dependiendo sólo de los MOSFET usado. La tensión debe ser de 6 a 15 V, observándose que existe una caída de tensión en el transistor.

 

Figura 1
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Por supuesto, la fuente de alimentación debe aislarse de la red si no se utiliza la batería para alimentación.

 

La carga podrá ser constituida por solenoides, motores, lámparas, elementos de calefacción o incluso otros aparatos electrónicos.

 

En la figura 2 tenemos el montaje en un puente de terminales.

 

Figura 2
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El MOSFET de potencia puede ser el IRF630 o IRF640 para corrientes hasta 5 A. Los resistores son de 1/8 W y el sensor consiste en dos regiones cubiertas de una plaquita con el formato indicado en la figura u otro. Estas regiones deben ser tocadas simultáneamente.

 

El accionamiento es momentáneo, lo que quiere decir que la carga permanece accionada sólo durante el tiempo en que los dedos se apoyan en el sensor.

 

 

Lista de materiales:

 

Q1 - IRF630 o IRF640 - cualquier MOSFET de potencia

R1 - 100k ohms - resistor - marrón, negro, amarillo

R2 - 10 M ohms - resistor - marrón, negro, azul

X1- Sensor - ver texto

Varios:

Puente de terminales, radiador para el transistor, fuente de alimentación, hilos, soldadura, etc.