Un integrador de excepcionales cualidades se obtiene alrededor de un LM108, como se muestra en la figura. Los transistores de efecto de campo usados en esta aplicación no deben tener diodos internos de protección. El drift de este circuito en el peor caso es menor que 500 uV / s en el rango de -55 a + 125 ° C.
| Haga click en la imagen para ampliar |