Este circuito puede servir como paso de entrada para proyectos de controles remotos o alarmas que involucren infrarrojo modulado.

El circuito se muestra en la figura 1 y el sensor puede ser un diodo silicio de gran superficie y de que no se necesita fuente de alta velocidad, siendo la sensibilidad ajustada en el trimpot de circuito.

 

La fuente es una simple es una simple batería de 9 V. El transistor de efecto de campo puede ser sustituido por equivalentes, como el MPF102.

Figura 1 - Diagrama del aparato
Figura 1 - Diagrama del aparato

 

 

Q1 - BF245

R1 - 220 ohms

R2, R4, R7 - 22 K ohms

R3 - 1 M ohms

R5 - 560 K ohms

R6 - 1 k ohms

C1 - 220 uF x 16 V - electrolítico

C2 - 5,6 nF - cerámico o poliéster

C3 - 100 nF - cerámico o poliéster

C4 - 22 uF x 16 V - electrolítico

P1 - 10 K ohms

 

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N° de Componente